Format:
1 Online-Ressource (xii, 139 Seiten)
,
Illustrationen, Diagramme
Note:
Dissertation Technische Universität Berlin 2023
Additional Edition:
Erscheint auch als Druck-Ausgabe
Language:
English
Subjects:
Engineering
Keywords:
Galliumnitrid
;
HEMT
;
Leistungshalbleiter
;
Silicium
;
Integrierte Schaltung
;
Parasitäres Element
;
Hochschulschrift
DOI:
10.14279/depositonce-19004
URN:
urn:nbn:de:101:1-2023110800595186627099
URL:
Volltext
(kostenfrei)
URL:
Volltext
(kostenfrei)
URL:
Volltext
(kostenfrei)
Bookmarklink