In:
Journal of the Serbian Chemical Society, National Library of Serbia, Vol. 73, No. 1 ( 2008), p. 121-126
Abstract:
Tanki slojevi SiO2 deponovani su metodom reaktivnog jonskog rasprasivanja, pri razlicitim vrednostima parcijalnog pritiska kiseonika (5?10-6-2?10-4 mbar) i pri razlicitim vrednostima struje na meti (1,67-6,85 mA). Za rasprasivanje mete od silicijuma koriscen je jonski snop argona, energije 1 keV. Parcijalni pritisak argona, pri svim deponovanjima, iznosio je 1?10-3 mbar. Temperatura podloge, pri svim deponovanjima, iznosila je 550?C. Debljina deponovanih slojeva kretala se u intervalu od 12,5 do 150 nm, a brzina deponovanja u intervalu od 0,0018 do 0,035 nm s-1. Strukturna karakterizacija slojeva izvrsena je spektrometrijom Raderfordovog povratnog rasejanja (RBS analiza). Pokazano je da se tanki slojevi SiO2 mogu dobiti metodom reaktivnog jonskog rasprasivanja pri vrednosti parcijalnog pritiska kiseonika 2?10-4 mbar (struja na meti 5 mA) i 6?10-5 mbar (struja na meti 1,67 mA). Jedan od ciljeva istrazivanja bio je ispitivanje potrosnje kiseonika pri deponovanju i nadjeno jeda jeona manja pri vecim brzinama deponovanja.
Type of Medium:
Online Resource
ISSN:
0352-5139
,
1820-7421
Language:
English
Publisher:
National Library of Serbia
Publication Date:
2008
detail.hit.zdb_id:
2030173-X
Bookmarklink