Format:
Online-Ressource
ISSN:
1521-4079
Content:
The defect structure of bulk GaAs and homoepitaxial layers has been characterized by means of reflection methods of x‐ray diffraction topography (doublecrystal topography, Berg‐Barrett method) and in addition by rocking‐curve measurements. Besides of dislocations, long‐range distortions of the single crystals of GaAs are investigated and determined quantitatively. The measured widths of the rocking curves approach those expected for perfect crystals. Single and double twinning in growth hillocks on epitaxial GaAs is found in connection with a higher degree of imperfection. The perfection of single‐crystal layers is similar to that of the bulk crystals. Based on contrasts observed in double crystal topographs and energetic discussions, statements are made one defect geometry of stacking‐fault tetrahedra in epitaxial layers.
Content:
Abstract: Die Defektstruktur von kompaktem GaAs und von GaAs‐Homöoepitaxieschichten wird mit Hilfe röntgentopographischer Reflexionsmethoden (Doppelkristalltopographie, Berg‐Barrett‐Methode) sowie zusätzlich durch Messung von Rockingkurven charakterisiert. Neben Versetzungen werden großräumige Verzerrungen der GaAs‐Einkristalle untersucht und quantitativ bestimmt. Die gemessenen Rockingkurvenbreiten kommen teilweise den für Idealkristalle zu erwartenden nahe. In Wachstumshügeln auf Epitaxieschichten werden einfache bzw. doppelte Verzwilligungen in Verbindung mit einem höheren Defektgehalt festgestellt. Die Perfektion einkristalliner Schichten ist der der Substratkristalle vergleichbar. Auf Grund der beobachteten Kontraste und energetischer Betrachtungen werden Aussagen zur Defektgeometrie der doppelkristalltopographisch abgebildeten Stapelfehlertetraeder in Epitaxieschichten gemacht.
In:
volume:7
In:
number:4
In:
year:2006
In:
pages:403-418
In:
extent:16
In:
Crystal research and technology, Weinheim : Wiley-VCH, 1966-, 7, Heft 4 (2006), 403-418 (gesamt 16), 1521-4079
Language:
English
DOI:
10.1002/crat.19720070405
URN:
urn:nbn:de:101:1-2406110543350.619169636195
URL:
https://doi.org/10.1002/crat.19720070405
URL:
https://nbn-resolving.org/urn:nbn:de:101:1-2406110543350.619169636195
URL:
https://d-nb.info/133263303X/34
URL:
https://doi.org/10.1002/crat.19720070405
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