Format:
Online-Ressource
ISSN:
1521-396X
Content:
Abstract: GaAs laser diodes and GaP lamp diodes were examined by scanning electron microscopy using the emissive, conductive, and cathodoluminescence modes of operation. Observations of non‐uniform doping and gross malformation of p‐n junctions were made in both types of device. The dependence of the contrast due to segregation and impurity growth striations on the impurity concentration and the type of photomultiplier used isoutlined. The cathodoluminescence micrographs of GaAs lasers exhibited the same contrast as the charge collection, barrier electron voltaic effect micrographs in regions in the n‐type material well away from the junction. This is evidence that both types of signal in these regions arise from the infrared radiation generated by electron beam bombardment.
Content:
GaAs‐Laserdioden und GaP‐Lampendioden wurden mit Scanning‐Elektronenmikroskopie untersucht, wobei Emission, Leitfähigkeit und Kathodolumineszenz benutzt wurde. Beobachtungen der nichtgleichförmigen Dotierung und grober Fehlbildung des p‐n‐Übergangs wurden an beiden Typen der Bauelemente durchgeführt. Die Abhängigkeit des Kontrasts infolge von Segregation und Störstellenwachstumsstreifen von der Störstellen‐konzentration und vom benutzten Photomultipliertyp wird dargestellt. Die Kathodolumineszenzmikrographien der GaAs‐Laser zeigten denselben Kontrast wie die Mikrographien des mit Ladungsansammlung verbundenen Barrierenphotospannungseffekts in n‐leitenden Bereichen des Materials weit entfernt vom Übergang. Dies gibt einen Hinweis darauf, daß beide Signalartenin diesen Bereichen von der Infrarotstrahlung herührt, die durch dieElektronenbestrahlung erzeugt wird.
In:
volume:19
In:
number:2
In:
year:2006
In:
pages:467-478
In:
extent:12
In:
Physica status solidi. A, Applied research, Weinheim : Wiley-VCH, [1970-2004], 19, Heft 2 (2006), 467-478 (gesamt 12), 1521-396X
Language:
English
DOI:
10.1002/pssa.2210190210
URN:
urn:nbn:de:101:1-2405260528494.831095072351
URL:
https://doi.org/10.1002/pssa.2210190210
URL:
https://nbn-resolving.org/urn:nbn:de:101:1-2405260528494.831095072351
URL:
https://d-nb.info/1330720652/34
URL:
https://doi.org/10.1002/pssa.2210190210
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