Format:
X, 172 S.
,
Ill., graph. Darst.
Note:
Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 1996. - Auch als: Berichte des Forschungszentrums Jülich. 3328
Language:
German
Keywords:
Kurzkanal-FET
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LPCVD-Verfahren
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Epitaxieschicht
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Silicium
;
Germanium
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Dotierung
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Phosphor
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Bor
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Hochschulschrift
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