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Art des Inhalts Hochschulschrift
Titel Sub-0.2 μm [my m] double sided modulation doped InAlAs-InGaAs heterojunction field effect transistor with InAs layer in the channel / Xu, Dong
Person(en) Xu, Dong (Verfasser)
Zeitliche Einordnung Erscheinungsdatum: [1997]
Umfang/Format IV, 143 S. : Ill., graph. Darst. ; 21 cm
Hochschulschrift München, Techn. Univ., Diss., 1997
Sprache(n) Englisch (eng)
Schlagwörter HEMT ; Indiumarsenid ; Aluminiumarsenid ; Galliumarsenid ; Indiumphosphid
Sachgruppe(n) 37 Elektrotechnik ; 29 Physik, Astronomie

Frankfurt Signatur: H 1997 A 613
Bereitstellung in Frankfurt
Leipzig Signatur: H 1997 A 613
Bereitstellung in Leipzig




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