Umfang:
II, 112 S.
,
Ill., graph. Darst.
Anmerkung:
Cottbus, Techn. Univ., Diss., 2001
Weitere Ausg.:
Erscheint auch als Online-Ausgabe urn:nbn:de:kobv:co1-000000044
Sprache:
Deutsch
Schlagwort(e):
Siliciumcarbid
;
Polytypie
;
Kristallzüchtung
;
Stickstoff
;
Dotierung
;
Hochschulschrift
URL:
Volltext
(kostenfrei)
URL:
Volltext
(kostenfrei)
URL:
Volltext
(kostenfrei)
Bookmarklink