Kooperativer Bibliotheksverbund

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Umfang: Online-Ressource

Anmerkung: Gesehen am 01.10.2020 , Fortsetzung der Druck-Ausgabe

Weitere Ausg.: Erscheint auch als Druck-Ausgabe, 1899-2010 Académie Royale des Sciences, des Lettres et des Beaux-Arts de Belgique / Classe des Sciences Bulletin de la Classe des Sciences / Académie Royale de Belgique Bruxelles : Académie Royale de Belgique, 1899-2011 ISSN 0001-4141

Sprache: Französisch

Schlagwort(e): Zeitschrift ; Zeitschrift

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URL: https://ezb.ur.de/?2783769-5

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Umfang: 1 online resource (300 p.)

Ausgabe: 1st ed.

ISBN: 3-03813-856-8

Serie: Materials science forum ; vol. 725

Inhalt: This volume documents the latest understanding of many topics of current interest in the science and technology of defects in semiconductors. The investigation of defects in semiconductors is a little different to that in other fields of materials science: in order to observe defects in semiconductors and elucidate their physical nature, a very wide range of tools and techniques has been introduced or created; thanks to the inventive ideas of the researchers. This work clearly reflects the lively state of defect investigation in semiconductors. Review from Book News Inc.: Drawn from papers del

Anmerkung: Description based upon print version of record. , Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors XIV; Preface, Message and Committee; Table of Contents; Chapter 1: Defects in SiC; Imaging and Strain Analysis of Threading-Edge and Basal-Plane Dislocations in 4H-SiC Using X-Ray Three-Dimensional Topography; Threading Dislocations in 4H-SiC Observed by Double-Crystal X-Ray Topography; Characterization of Dislocation Structures in Hexagonal SiC by Transmission Electron Microscopy; Photoluminescence Imaging and Wavelength Analysis of Basal Plane Frank-Type Defects in 4H-SiC Epilayers , Formation of Nanovoids in Femtosecond Laser-Irradiated Single Crystals of Silicon CarbideElectron Beam Induced Current Observation of Dislocations in 4H-SiC Introduced by Mechanical Polishing; Basal Plane Dislocations in 4H-SiC Epilayers with Different Dopings; Frank Partial Dislocation in 4H-SiC Epitaxial Layer by MSE Method; Separation of the Driving Force and Radiation-Enhanced Dislocation Glide in 4H-SiC; Study of Defects Generated by Standard- and Plasma-Implantation of Nitrogen Atoms in 4H-SiC Epitaxial Layers , Different Dissociation Behavior of [11-20] and Non-[11-20] Basal Plane Dislocations in 4H-SiС under Electron Beam IrradiationDensity of Etch Pits on C-Face 4H-SiC Surface Produced by ClF3 Gas; Defect Related Leakage Current Components in SiC Schottky Barrier Diode; Rapid Terahertz Imaging of Carrier Density of 3C-SiC; Chapter 2: Nitride Materials and Devices; Cathodoluminescence Study of Ammonothermal GaN Crystals; The Effect of the Indenter Orientation on the Formation of Dislocations and Cracks in (0001) GaN Bulk Crystals; Defect Propagation from 3C-SiC to III-Nitride , Characterization of Dislocations in GaN Thin Film and GaN/AlN MultilayerMicroscopic Degradation Analysis of RF-Stressed AlGaN/GaN HEMTs; Chapter 3: III-V Compounds and Devices; Distribution of Misfit Dislocations at the InGaAs/GaAs(001) Interface Observed by Monochromatic X-Ray Topography; Effects of in Content on Anisotropies in Strain Relaxation Processes of InGaAs/GaAs (001) Measured by Real-Time Three-Dimensional Reciprocal Space Mapping; Nitrogen Related Deep Levels in GaAsN Films Investigated by a Temperature Dependence of Piezoelectric Photothermal Signal , Intermixing in InP-Based Quantum Well Photonic Structures Induced by the Dry-Etching Process: A Spectral Imaging Cathodoluminescence StudyDefect Propagation in Broad-Area Diode Lasers; Kinetics of Defect Propagation during the Catastrophic Optical Damage (COD) in Broad-Area Diode Lasers; Nondestructive Measurement of Carrier Density in GaAs Using Relative Reflectivity of Two Terahertz Waves; Chapter 4: Photovoltaics: From Material to Module; Lock-In Thermography and Related Topics in Photovoltaic Research , EBIC Study on Metal Contamination at Intra Grain Defects in Multicrystalline Silicon for Solar Cells , English

Weitere Ausg.: ISBN 3-03785-442-1

Sprache: Englisch

Schlagwort(e): Electronic books.

URL: Click to View

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Umfang: 207 S. , Ill. , 24 cm

ISBN: 9788849223811

Anmerkung: Mostra tenuta a Roma, Galleria Nazionale d'Arte Moderna, 12 giugno-9 settembre 2011 [i.e. 2012] , Lt. Internet fand diese Ausstellung 2012 statt; Angabe in der Vorlage ist ein Druckfehler 〈0001〉 , Includes bibliographical references

Sprache: Italienisch

Schlagwort(e): Galleria nazionale d'arte moderna e contemporanea ; Sammlung ; Ausstellungskatalog

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Umfang: 1 online resource (269 p.)

Ausgabe: 1st ed.

ISBN: 3-03813-671-9

Serie: Materials Science Forum, Volume 711

Inhalt: The aim of this collection of peer-reviewed papers is to promote the open discussion of SiC hetero-epitaxy as related to the possibility of growing SiC on other materials and of growing various SiC polytypes so as to take advantage of the possibilities of band-gap engineering, These proceedings present the latest developments in Silicon Carbide, and the prospects for Gallium Nitride (GaN on Si, SiC, sapphire and free-standing) and Diamond power electronics. Finally, the progress made in Graphene technology, such as its introduction into devices and its relationship to SiC epitaxial material, i

Anmerkung: Description based upon print version of record. , HeteroSiC & WASMPE 2011; Preface, Sponsors and Committees; Table of Contents; Chapter 1: SiC Heteroepitaxial Growth; Progress in 3C-SiC Growth and Novel Applications; Elimination of Twin Boundaries when Growing 3C-SiC Heteroepitaxial by Vapour-Liquid-Solid Mechanism on Patterned 4H-SiC Substrate; CVD Growth of 3C-SiC on 4H-SiC Substrate; The Influence of C3H8 and CBr4 on Structural and Morphological Properties of 3C-SiC Layers; Structural Characterization of Heteroepitaxial 3C-SiC; Consideration on the Thermal Expansion of 3C-SiC Epitaxial Layer on Si Substrates , Epitaxial Growth of 3C-SiC onto Silicon Substrate by VLS Transport Using CVD-Grown 3C-SiC Seeding LayerChapter 2: Microsystems and Microstructures Based on SiC; Study of 3C-SiC Mechanical Resonators, Filters and Mixers; Mechanical Proprieties and Residual Stress Evaluation on Heteroepitaxial 3C-SiC/Si for MEMS Application; Strain Field Analysis of 3C-SiC Free-Standing Microstructures by Micro-Raman and Theoretical Modelling; Elaboration of Monocrystalline Si Thin Film on 3C-SiC(100)/Si Epilayers by Low Pressure Chemical Vapor Deposition , Fabrication of SiC Nanopillars by Inductively Coupled SF6/O2 PlasmaMaterial Limitations for the Development of High Performance SiC NWFETs; Selective β-SiC/SiO2 Core-Shell NW Growth on Patterned Silicon Substrate; High Frequency 3C-SiC AFM Cantilever Using Thermal Actuation and Metallic Piezoresistive Detection; Detailed Experimental Study of Mean and Gradient Stresses in Thin 3C-SiC Films Performed Using Micromachined Cantilevers; Chapter 3: Devices on SiC; High Quality 3C-SiC Substrate for MOSFET Fabrication; Characterization of Band Diagrams of Different Metal-SiO2-SiC(3C) Structures , Design of Digital Electronics for High Temperature Using Basic Logic Gates Made of 4H-SiC MESFETsThe Influence of Gate Material, SiO2 Fabrication Method and Gate Edge Effect on Interface Trap Density in 3C-SiC MOS Capacitors; Electrical Characteristics of SiC UV-Photodetector Device from the P-I-N Structure Behaviour to the Junction Barrier Schottky Structure Behaviour; Visible and Deep Ultraviolet Study of SiC/SiO2 Interface; High Temperature Capability of High Voltage 4H-SiC JBS; Parallel and Serial Association of SiC Light Triggered Thyristors , Nano-Analytical and Electrical Characterization of 4H-SiC MOSFETsChapter 4: Characterization: Devices and Material; Structural Characterization of Graphene Grown by Thermal Decomposition of Off-Axis 4H-SiC (0001); Seeding Layer Influence on the Low Temperature Photoluminescence Intensity of 3C-SiC Grown on 6H-SiC by Sublimation Epitaxy; Dose Influence on Physical and Electrical Properties of Nitrogen Implantation in 3C-SiC on Si; On Applicability of Time-Resolved Optical Techniques for Characterization of Differently Grown 3C-SiC Crystals and Heterostructures , Low Temperature Photoluminescence Investigation of 3-Inch SiC Wafers for Power Device Applications , English

Weitere Ausg.: ISBN 3-03785-332-8

Sprache: Englisch

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Umfang: 1 online resource (716 pages)

Ausgabe: 6

ISBN: 9783836287371

Anmerkung: Intro -- Einleitung -- Zielgruppe -- Wie arbeiten Sie mit diesem Buch? -- Noch mehr Inhalt -- 1 Was ist SAP? -- 1.1 Das Unternehmen SAP SE -- 1.2 SAP-Softwareprodukte -- 1.2.1 SAP ERP -- 1.2.2 SAP S/4HANA -- 1.2.3 SAP-Cloud-Lösungen -- 1.3 Weiterentwicklung und Anpassung des Systems -- 1.4 Aufbau von SAP ERP HCM -- 1.4.1 Komponenten von SAP ERP HCM -- 1.4.2 Strukturen in SAP ERP HCM -- 1.4.3 HCM unter SAP S/4HANA -- 1.5 Zusammenfassung -- 2 Grundlagen und Navigation -- 2.1 Am SAP-System anmelden -- 2.1.1 SAP Logon -- 2.1.2 Anmeldebild -- 2.1.3 Kennwort -- 2.1.4 Fehler beim Anmelden -- 2.1.5 Mehrfachanmeldung -- 2.2 SAP-GUI-Fenster -- 2.2.1 Aufbau des SAP-GUI-Fensters -- 2.2.2 Das SAP-GUI-Fenster anpassen -- 2.3 Vom SAP-System abmelden -- 2.4 Im SAP-System navigieren -- 2.4.1 Voraussetzung: Benutzerstammdatensatz -- 2.4.2 Mit dem Benutzermenü arbeiten -- 2.4.3 Favoriten anlegen -- 2.4.4 Mit Transaktionscodes navigieren -- 2.4.5 Verknüpfung einer Transaktion auf dem Desktop -- 2.4.6 Probleme beim Ausführen von Transaktionen -- 2.5 Datenpflege -- 2.5.1 Mit Textfeldern arbeiten -- 2.5.2 Weitere Feldtypen -- 2.6 Benutzervorgaben -- 2.6.1 Vorschlagswerte dauerhaft einrichten -- 2.6.2 Parameter-ID eines Feldes ermitteln -- 2.6.3 Temporäre Vorschlagswerte setzen -- 2.6.4 Weitere Benutzervorgaben -- 2.7 Mit Reports arbeiten -- 2.7.1 Reports über das SAP-Menü aufrufen -- 2.7.2 Reports im SAP-System ausführen -- 2.7.3 Mit den Ergebnislisten arbeiten -- 2.8 Drucken -- 2.8.1 Hardcopy erstellen -- 2.8.2 Sofortdruck erzeugen -- 2.8.3 Deckblätter -- 2.8.4 Druckaufbereitung -- 2.8.5 Mit dem Spool-System arbeiten -- 2.8.6 Übersicht über die Spool-Aufträge -- 2.8.7 Informationen zu einem Spool-Auftrag anzeigen und ändern -- 2.8.8 Inhalt eines Spool-Auftrags anzeigen und weiterleiten -- 2.8.9 Spool-Auftrag mit automatischer Ablage in Ausgabeaufträge ausgeben , 2.8.10 Ausgabeauftrag zu einem Spool-Auftrag anzeigen -- 2.8.11 Spool-Auftrag löschen -- 2.8.12 Spool-Auftrag erzeugen -- 2.9 Mit SAP-Fiori-Apps arbeiten -- 2.9.1 Am SAP Fiori Launchpad anmelden -- 2.9.2 Aufbau des SAP Fiori Launchpad -- 2.9.3 Benutzermenü -- 2.9.4 In SAP Fiori navigieren -- 2.9.5 Schnellzugriffe nutzen -- 2.9.6 SAP-Fiori-Apps finden -- 2.9.7 Die wichtigsten SAP-Fiori-Apps für HCM -- 2.9.8 SAP Fiori Launchpad personalisieren -- 2.9.9 Vom SAP Fiori Launchpad abmelden -- 2.10 Zusammenfassung -- 2.11 Übungsaufgaben zu Kapitel 2 -- 3 Personaladministration -- 3.1 Bedeutung der Stammdaten für SAP ERP HCM -- 3.1.1 Entgeltabrechnung -- 3.1.2 Zeitwirtschaft -- 3.1.3 Reisemanagement -- 3.1.4 Personalplanung -- 3.1.5 Personalentwicklung -- 3.1.6 Personalcontrolling -- 3.2 Funktion der Personaladministration -- 3.3 Infotypkonzept -- 3.3.1 Infotyp -- 3.3.2 Infotypsatz -- 3.3.3 Zeitbindung -- 3.4 Infotyppflege am Beispiel des Infotyps 0006 (Anschriften) -- 3.4.1 Einstieg in die Stammdatenpflege -- 3.4.2 Mitarbeitende mit und ohne Objektmanager auswählen -- 3.4.3 Zeitraum und Infotyp auswählen -- 3.4.4 Infotypsatz anlegen -- 3.4.5 Infotypsatz ändern -- 3.4.6 Infotypsatz kopieren -- 3.4.7 Infotypsatz löschen -- 3.4.8 Infotypsatz abgrenzen -- 3.4.9 Infotypsatz sperren/entsperren -- 3.4.10 Infotypsatz anzeigen -- 3.4.11 Freitextfeld zum Infotypsatz anlegen -- 3.4.12 Rückrechnungsrelevante Felder/Infotypen pflegen -- 3.5 Maßnahmenkonzept -- 3.5.1 Maßnahme aufrufen und ausführen -- 3.5.2 Einen Infotyp in der Maßnahme überspringen -- 3.5.3 Einstellungsmaßnahme unterbrechen und wieder aufnehmen -- 3.6 Einstellungsmaßnahme ausführen -- 3.6.1 Maßnahmenmenü -- 3.6.2 Infotyp 0000 (Maßnahmen) -- 3.6.3 Infotyp 0003 (Abrechnungsstatus) -- 3.6.4 Infotyp 0001 (Organisatorische Zuordnung) -- 3.6.5 Infotyp 0002 (Daten zur Person) -- 3.6.6 Infotyp 0006 (Anschriften) , 3.6.7 Infotyp 0007 (Sollarbeitszeit) -- 3.6.8 Infotyp 0008 (Basisbezüge) -- 3.6.9 Infotyp 0009 (Bankverbindung) -- 3.6.10 Infotyp 0012 (Steuerdaten Deutschland) -- 3.6.11 Infotyp 0013 (Sozialversicherungsdaten Deutschland) -- 3.6.12 Infotyp 0020 (DEÜV) -- 3.6.13 Infotyp 0016 (Vertragsbestandteile) -- 3.6.14 Infotyp 0019 (Terminverfolgung) -- 3.6.15 Infotyp 2006 (Abwesenheitskontingente) -- 3.6.16 Abschluss der Maßnahme -- 3.7 Ausgewählte Maßnahmen ausführen -- 3.7.1 Maßnahme »Organisatorischer Wechsel« -- 3.7.2 Maßnahme »Austritt« -- 3.8 Tipps und Tricks -- 3.8.1 Maßnahmenschnellerfassung -- 3.8.2 Schnellerfassung -- 3.8.3 Personalakte -- 3.8.4 Abrechnungsstatus ändern -- 3.8.5 Eintrittsdatum korrigieren -- 3.9 Zusammenfassung -- 3.10 Übungsaufgaben zu Kapitel 3 -- 4 Pflege ausgewählter Infotypen -- 4.1 Zahlungsrelevante Infotypen -- 4.1.1 Infotyp 0004 (Behinderung) -- 4.1.2 Infotyp 0010 (Vermögensbildung) -- 4.1.3 Infotyp 0011 (Externe Überweisungen) -- 4.1.4 Infotyp 0014 (Wiederkehrende Be-/Abzüge) -- 4.1.5 Infotyp 0015 (Ergänzende Zahlung) -- 4.1.6 Infotyp 0027 (Kostenverteilung) -- 4.1.7 Infotyp 0045 (Darlehen) -- 4.2 Infotypen für die Schweiz -- 4.2.1 Infotyp 0036 (Sozialversicherung Schweiz) -- 4.2.2 Infotyp 0038 (Steuerdaten Schweiz) -- 4.3 Infotypen für Österreich -- 4.3.1 Infotyp 0042 (Steuerdaten Österreich) -- 4.3.2 Infotyp 0044 (Sozialversicherung Österreich) -- 4.4 Sonstige Infotypen -- 4.4.1 Infotyp 0030 (Vollmachten) -- 4.4.2 Infotyp 0031 (Referenzpersonalnummer) -- 4.4.3 Infotyp 0032 (Betriebsinterne Daten) -- 4.4.4 Infotyp 0033 (Statistik) -- 4.4.5 Infotyp 0040 (Leihgaben) -- 4.4.6 Infotyp 0041 (Datumsangaben) -- 4.4.7 Infotyp 0128 (Mitteilungen) -- 4.4.8 Infotyp 0105 (Kommunikation) -- 4.4.9 Infotyp 0315 (Vorschlagswerte Arbeitszeitblatt) -- 4.5 Zusammenfassung -- 4.6 Übungsaufgaben zu Kapitel 4 , 5 Reports und Querys in der Personaladministration -- 5.1 Auswertungen - Grundlagen und Werkzeuge -- 5.1.1 Report -- 5.1.2 Query -- 5.1.3 SAP BW -- 5.1.4 HR Information System, Manager's Desktop und Manager Self-Service -- 5.2 Reports über Personalstammdaten -- 5.2.1 Mitarbeiterliste erstellen -- 5.2.2 Standardselektionsbild -- 5.2.3 Mit der Ergebnisliste arbeiten -- 5.2.4 Ausgewählte Standardauswertungen -- 5.3 Querys über Personalstammdaten -- 5.3.1 Formen der Query -- 5.3.2 Eine Query ausführen -- 5.3.3 Eine Ad-hoc Query erstellen -- 5.3.4 Spezielle Funktionen der Ad-hoc Query -- 5.3.5 QuickViewer aufrufen -- 5.3.6 Einen QuickView erstellen -- 5.4 Zusammenfassung -- 5.5 Übungsaufgaben zu Kapitel 5 -- 6 Zeitwirtschaft -- 6.1 Überblick -- 6.1.1 Ziel der Zeitwirtschaft -- 6.1.2 Formen der Zeiterfassung -- 6.1.3 Voraussetzungen in den Stammdaten -- 6.2 Zeitdaten pflegen -- 6.2.1 Infotyp 2001 (Abwesenheiten) -- 6.2.2 Infotyp 2002 (Anwesenheiten) -- 6.2.3 Infotyp 2003 (Vertretung) -- 6.2.4 Infotyp 2005 (Mehrarbeiten) -- 6.2.5 Infotyp 2006 (Abwesenheitskontingente) -- 6.2.6 Infotyp 2007 (Anwesenheitskontingente) -- 6.2.7 Infotyp 2010 (Entgeltbelege) -- 6.2.8 Infotyp 2011 (Zeitereignisse) -- 6.2.9 Infotyp 2012 (Zeitumbuchungsvorgaben) -- 6.3 Zeitabrechnung und Zeitnachweis -- 6.3.1 Ziel der Zeitabrechnung -- 6.3.2 Zeitabrechnung durchführen -- 6.3.3 Zeitnachweis anzeigen -- 6.3.4 Parameter für die Listgestaltung -- 6.4 Tagesgeschäft im Arbeitsvorrat -- 6.4.1 Einstieg in den Arbeitsvorrat -- 6.4.2 Fehlerhafte Zeitereignisse bearbeiten -- 6.4.3 Fehlerbehandlung -- 6.5 Time Manager's Workplace (TMW) -- 6.5.1 Zeitdatenpflege im TMW -- 6.5.2 Meldungsbearbeitung im TMW -- 6.6 Zeitdaten -- 6.6.1 Besonderheiten beim Auswerten von Zeitdaten -- 6.6.2 Ausgewählte Auswertungen in der Zeitwirtschaft -- 6.7 Zusammenfassung -- 6.8 Übungsaufgaben zu Kapitel 6 , 7 Personalabrechnung -- 7.1 Überblick -- 7.2 Voraussetzungen in den Stammdaten -- 7.3 Abrechnungskonzeption und Abrechnungsergebnisse -- 7.3.1 Abrechnungskonzept in SAP ERP HCM -- 7.3.2 Abrechnungsergebnisse -- 7.4 Abrechnungssimulation und Entgeltnachweis -- 7.4.1 Abrechnungssimulation -- 7.4.2 Entgeltnachweis mit dem HR-Formular-Editor (PE51) -- 7.4.3 Alternativen zum HR-Formular-Editor (PE51) -- 7.5 Abrechnungsstatus und Abrechnungsverwaltungssatz -- 7.5.1 Infotyp 0003 (Abrechnungsstatus) -- 7.5.2 Abrechnungsverwaltungssatz -- 7.6 Ablauf der Personalabrechnung am Beispiel des deutschen Abrechnungsverfahrens -- 7.6.1 Prozessüberblick -- 7.6.2 Vorbereitende Aktivitäten -- 7.6.3 Personalabrechnung durchführen -- 7.6.4 Überweisungen -- 7.6.5 Sozialversicherung -- 7.6.6 Finanzamt -- 7.6.7 Erstattungsverfahren für Arbeitgeberaufwendungen (AAG) -- 7.6.8 Meldeverfahren für Entgeltersatzleistungen (EEL) -- 7.6.9 Buchung ins Rechnungswesen -- 7.7 Auswertungen in der Personalabrechnung -- 7.7.1 Lohnartenreporter -- 7.7.2 Lohnkonto -- 7.7.3 Weitere Auswertungen -- 7.8 Besonderheiten für Österreich und die Schweiz -- 7.8.1 Ähnlichkeiten und Analogien -- 7.8.2 Unterschiede bei der Personalabrechnung in Österreich -- 7.8.3 Unterschiede bei der Personalabrechnung in der Schweiz -- 7.9 Abrechnungsprozess mit dem Payroll Control Center (PCC) -- 7.9.1 Überblick und Beispiel -- 7.9.2 Technische Voraussetzungen -- 7.10 Entsendung (A1-Bescheinigung) -- 7.11 Voraussetzung in den Stammdaten -- 7.12 Zusammenfassung -- 7.13 Übungsaufgaben zu Kapitel 7 -- 8 Organisationsmanagement -- 8.1 Überblick -- 8.1.1 Planvariante -- 8.1.2 Objekte, Verknüpfungen und Infotypen -- 8.1.3 Ausgewählte Objekttypen -- 8.1.4 Ausgewählte Infotypen -- 8.2 Organisationsstruktur pflegen -- 8.2.1 Elemente der Pflegeoberfläche -- 8.2.2 Organisationseinheiten pflegen -- 8.2.3 Planstellen pflegen , 8.2.4 Mitarbeitende zuordnen und versetzen

Weitere Ausg.: Print version: Gärtner, Christian SAP-Personalwirtschaft Bonn : Rheinwerk Verlag,c2022 ISBN 9783836287357

Schlagwort(e): Electronic books.

URL: https://ebookcentral.proquest.com/lib/th-brandenburg/detail.action?docID=7132813

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Umfang: 1 online resource (415 p.)

ISBN: 3-03813-814-2

Serie: Advanced materials research, volume 497

Inhalt: The topics covered herein include: Single-point diamond turning; Ultra-precision grinding technology; High-speed and high-efficiency machining; Machine tools and systems; In-process measurement and monitoring; Metrology and evaluation; Finishing, lapping and polishing; Micro/nano machining and fabrication; Forming processes for optical and electrical components; CMP and silicon-wafer processing; Brittle-material machining; EDM, ultrasonic machining and laser machining; and Related precision machining methods. This work will provide a valuable and fruitful reference source for researchers in th

Anmerkung: " ... CHINA-JAPAN Conference on Ultra-Precision Machining (CJUPM) ..." -- preface. , International conference proceedings. , Ultra-Precision Machining Technologies, CJUMP2011; Preface, Committees and Sponsors; Table of Contents; Experiment and Discussion on Ultrasonic Vibration-Assisted Single Point Diamond Turning of Die Steels; A Novel Orderly Arrangement Method Controlled by Magnetic Field for Diamond Abrasives of Grinding Wheel; Influence of Cup Wheel Grinding and Etching Pretreatment on Residual Stress and Surface Topography for Coated Cemented Carbide Tools; Precision Grinding of Structured Tungsten Carbide Mold; Analysis on Kinematic Characteristics of Precision Balls Grinding , Study on Machining Characteristics of Sawing Al2O3 Ceramic with Diamond Cut-Off WheelWear Mechanism of High-Speed Turning Ti-6Al-4V with TiAlN and AlTiN Coated Tools in Dry and MQL Conditions; Study on Fracture Performance of In Situ Growth Whisker Toughened Composite Ceramic Tool; The Performances of Different Coated Carbide Drills when Drilling a Cast Nickel-Based Alloy; New Approach for Noncircular Following Grinding of Crankshaft Pin; Study on the Process of Gear Shaft Formed by Cross Wedge Rolling Based on Deform , Research on the Surface Roughness Predictive Model of Austempered Ductile Iron Based on Genetic AlgorithmStudy on Dynamic Stiffness of Machine Tool with Consideration of Friction Damping in Guide; Fabrication and Cutting Performance of CVD Diamond Coated Inserts with Different Coating Thickness in Dry Turning Aluminum Alloy; Influence of Diameter and Number of Orifice on Static Characteristics of Radial-Thrust Aerostatic Bearing; Research on High Performance Vitrified Bond Diamond Wheel; Optimum Design for the Frame of Open Type Abrasive Flow Polish Machine , Cutting Performance and Failure Mechanisms of Coated Carbide Tools in Face Milling Powder Metallurgy Nickel-Based SuperalloyStudy on Dynamic Characteristics of a Hydrostatic and Hydrodynamic Journal Bearings for Small Diameter Grinding Spindle; Current Research Trends on Resin Bond Used for Abrasive Products; Influence of Soluble Filler on the Mechanical Properties of Porous Self-Generation Superabrasive Tool; Research on Soil Vibratory Cutting with ALE Finite Element Simulation Method; Transient Heat Transfer Simulation in Rapid Heat Cycle Molding with Electric Heating , Tool Breakage Feature Extraction in PCB Micro-Hole Drilling Using Vibration SignalsEffects of Process Parameters on Surface Gloss in Rapid Heat Cycle Molding Process; New Measurement Concept of Nanometer-Level Defects on Si Wafer Surface by Using Micro Contact Sensor; Absolutely Testing of Off-Axis Aspherical Mirror Using Dichotomy Computer-Generated Holograms; Dual-Servo Mechanism of STM for Measurement of Sub Millimeter Deep Trench Structures; The Acoustic Micro Integrated Detection Technique for Silicon Wafer Processing , XTEM Observation of 4H-SiC (0001) Surfaces Processed by Plasma Assisted Polishing , English

Weitere Ausg.: ISBN 3-03785-396-4

Sprache: Englisch

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Umfang: 1 online resource (1326 p.)

ISBN: 3-03813-460-0

Serie: Materials science forum, volumes 675-677

Inhalt: This two-volume set comprises more than 306 peer-reviewed papers, grouped together under the headings of: invited papers, new energy materials, ceramics, metallic glasses, nanomaterials, biomaterials, polymer and composite materials, performance evaluation and applications of materials, mechanical behaviour of materials, materials processing and technology, modeling and simulation, catalyst materials, functional materials, smart materials and intelligent structures, coatings and thin films. This book will provide a valuable reference source for researchers in the field of advanced materials sc

Anmerkung: Description based upon print version of record. , Advanced Material Science and Technology; Sponsors and Committees; Preface; Table of Contents; Invited speech; How Crystals Form from a Cloud of Atoms; Microstructure, Texture and Residual Stresses Induced by Surface Thermo-Mechanical Treatments; Si 2p Core Level Shifts of the Epitaxial SiON Layer on a SiC(0001), Studied by Photoemissin Spectroscopy; Development of a Highly Active Pt-Catalyst for Selective Oxidation of CO in Excess H2 at Room Temperature; Session A - New energy materials; Investigation on the Removal of B Impurity in Metallurgical Grade Si by Electron Beam Melting , Amorphous Ni-Co-B Catalyst for Hydrolysis of NaBH4 in Alkaline SolutionElectrochemical Studies on Al2O3-Coated Spinel LiMn2O4 for Lithium Ion Batteries; Calcium Evaporation from Metallurgical Grade Silicon by an Electron Beam Melting; Removal of Phosphorus in Metallurgical Grade Silicon Using Electron Beam Melting; Solid Proton Conductor Based on Natural Diatomite; Effect of Pulling Rate on Multicrystalline Silicon Ingot during Directional Solidification; Synthesis of LiFePO4 Cathode Materials by a Chemical Method , Effect of High Volumes of Fly Ash on Flowability and Drying Shrinkage of Engineered Cementitious CompositesAn Experimental Research on Electrochemical Impedance Spectra of New High-Specific Energy EDLC; Study of Photocatalytic Activities with Copper Hydroxyphosphate; Post and In Situ Characterization of Strain Control and Crystal Quality in Quantum Well Solar Cell Structure; Preparation and Characteristics of FePO4·xH2O Powder; Fabrication of LSGM Thin Film Electrolyte on LSCM Anode by RF Magnetron Sputtering for IT-SOFC; Phase Equilibria of Boron in Metallurgical Grade Silicon at 1300°C , Experiment Research on Removing Metal Impurities of the Pot Material in Vacuum Directional SolidificationFunctionalized Silica Fume for Chromium (VI) Removal from Wasterwater; Oxygen Reduction Reaction on Carbon Supported Ruthenium-Based Electrocatalysts in PEMFC; Effects of Impurities Distribution on the Crystal Structure and Electrical Properties of Multi-Crystalline Silicon Ingots; Transition-Metal Impurities Removal from Metallurgical Grade Silicon by Electron Beam Injection; Resistivity Distribution Characteristics of Metallurgical Silicon Ingot after Directional Solidification , Effect of Heating Treatment on the Resistivity of Polycrystalline SiliconSession B- Ceramics; Preparation of SiCw/Al2O3 Composite Sheets through Gel-Tape-Casting Process; In Situ High Resolution Transmission Electron Microscopy Studies of High Temperature Behavior of Surface Al2O3 Thin Layer on an AlN Particle; Rapid Synthesis of Molybdenum Disilicide by High-Energy Ball Milling; Effects of CaB2O4 Content on the Sintering Behavior of Hexagonal Boron Nitride; Pozzolanic Activity of Ceramic Polishing Powder as Cementitious Material , Silicon Carbide Base Ceramic Fiber Synthesis from Polycarbosilane-Modified Polymethylsilane Blend Polymers by Melt Spinning , English

Weitere Ausg.: ISBN 3-03785-049-3

Sprache: Englisch

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Originalschrift Titel: 新疆日报 : 合订本

Originalschrift Verlag: 乌鲁木齐 : 新疆日报社

Anmerkung: China-Zeitschriften-Code: CN65-0001 , Mongolischer und kasachischer Paralleltitel ab Juli 2011 , Ersch. monatl. , Text chines.

Früher: Xinjiang-ribao

Sprache: Chinesisch

Schlagwort(e): Zeitschrift

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Umfang: XVII, 235 S. : , Ill., graph. Darst.

Anmerkung: Nebentitel: Ultraschneller Energie- und Ladungstransfer in D 2 O Ru(0001) , Berlin, Freie Univ., Diss., 2011

Weitere Ausg.: Erscheint auch als Online-Ausgabe urn:nbn:de:kobv:188-fudissthesis000000021564-0

Sprache: Englisch

Schlagwort(e): Hochschulschrift

URL: Volltext  (kostenfrei)

Mehr zum Autor: Bdžoch, Juraj 1983-

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Umfang: 1 online resource (xi, 9, 169 pages) : , illustrations

Anmerkung: Title from title screen (viewed on Mar. 31, 2011). , "August 2007." , "Produced under U.S. Department of Education contract no. ED04CO-0121/0001 with MPR Associates, Inc."

Sprache: Englisch