Format:
112 S.
,
Ill., graph. Darst.
Edition:
Als Ms. gedr.
ISBN:
3181422096
Series Statement:
Fortschrittberichte VDI 122
Note:
Zugl.: Hannover, Univ., Fak. für Maschinenwesen, Diss., 1991
Language:
German
Keywords:
CMOS
;
Silicide
;
Ionenimplantation
;
Source
;
Drain
;
Selbstjustierende Technik
Bookmarklink