Format:
1 Online-Ressource (261 S.)
ISBN:
9783663102458
,
9783519000990
Series Statement:
Teubner Studienskripten 99
Note:
Vor rund 25 Jahren entstanden die ersten tragfähigen Ideen, mit Halbleitern hochfrequente elektrische Schwingungen zu erzeugen. Es folgte eine Periode stürmischer Entwicklung von Halbleiterbauelementen, die die bis dahin auch bei hohen Frequenzen dominierenden Röhren auf spezielle Hochleistungsanwendungen abdrängten. Darüberhinaus wurden für Halbleiter Frequenzbereiche erschlossen, die bisher unzugänglich waren. In den letzten Jahren haben die Halbleiterbauelemente für das Mikrowellengebiet im wesentlichen ihre Reife erhalten, abgesehen von den Feldeffekttransistoren, die zu immer höheren Frequenzen vorstoßen. Dieses Buch behandelt Halbleiterbauelemente, die im Zentimeter und Millimeterwellengebiet eingesetzt werden, allerdings mit der Beschränkung auf aktive Komponenten. Der Schwerpunkt liegt auf den Laufzeitdioden und den Gunn-Elementen, den klassischen Halbleiterbauelementen der Mikrowellentechnik. Beide Gruppen von Bauelementen arbeiten mit heißen Elektronen und nutzen die Laufzeit der Elektronen durch einen geeignet gestalteten Halbleiterbereich aus. Dagegen werden andere Mikrowellenbauelemente, wie Tunneldioden oder Step-Recovery-Dioden, wegen ihrer nur begrenzten Wichtigkeit nicht behandelt. Bipolare Transistoren gehören ebensowenig wie die Feldeffekttransistoren zu den Mikrowellenbauelementen im engeren Sinn, obwohl bipolare Transistoren jetzt schon mit einer Grenzfrequenz von 12 GHz verfügbar sind und damit weit in das hier interessierende Frequenzgebiet oberhalb 1 GHz hineinreichen
Language:
German
Keywords:
Hochfrequenztechnik
;
Halbleiterbauelement
DOI:
10.1007/978-3-663-10245-8
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