Ihre E-Mail wurde erfolgreich gesendet. Bitte prüfen Sie Ihren Maileingang.

Leider ist ein Fehler beim E-Mail-Versand aufgetreten. Bitte versuchen Sie es erneut.

Vorgang fortführen?

Exportieren
Filter
Medientyp
Sprache
Region
Bibliothek
Erscheinungszeitraum
Fachgebiete(RVK)
Zugriff
  • 1
    Online-Ressource
    Online-Ressource
    Cham :Springer International Publishing :
    UID:
    almahu_9947983725402882
    Umfang: LV, 625 p. 31 illus. , online resource.
    Ausgabe: 1st ed. 2016.
    ISBN: 9783319210001
    Serie: Springer Tracts in Modern Physics, 265
    Inhalt: This book presents the dispersion relation in heavily doped nano-structures. The materials considered are III-V, II-VI, IV-VI, GaP, Ge, Platinum Antimonide, stressed, GaSb, Te, II-V, HgTe/CdTe superlattices and Bismuth Telluride semiconductors. The dispersion relation is discussed under magnetic quantization and on the basis of carrier energy spectra. The influences of magnetic field, magneto inversion, and magneto nipi structures on nano-structures is analyzed. The band structure of optoelectronic materials changes with photo-excitation in a fundamental way according to newly formulated electron dispersion laws. They control the quantum effect in optoelectronic devices in the presence of light. The measurement of band gaps in optoelectronic materials in the presence of external photo-excitation is displayed. The influences of magnetic quantization, crossed electric and quantizing fields, intense electric fields on the on the dispersion relation in heavily doped semiconductors and super-lattices are also discussed. This book contains 200 open research problems which form the integral part of the text and are useful for graduate students and researchers. The book is written for post graduate students, researchers and engineers.
    Anmerkung: From the Contents: The DR in Quantum Wells (QWs) of Heavily Doped(HD) Non-Parabolic Semiconductors -- The DR in Nano-Wires (NWs) of Heavily Doped (HD) Non-Parabolic Semiconductors -- The DR in Quantum Box (QB) of Heavily Doped (HD) Non-Parabolic Semiconductors -- The DR in doping superlattices of HD Non-Parabolic Semiconductors -- The DR in Accumulation and Inversion Layers of Non-Parabolic Semiconductors.
    In: Springer eBooks
    Weitere Ausg.: Printed edition: ISBN 9783319209999
    Weitere Ausg.: Printed edition: ISBN 9783319210018
    Weitere Ausg.: Printed edition: ISBN 9783319367033
    Sprache: Englisch
    Fachgebiete: Physik
    RVK:
    RVK:
    RVK:
    URL: Volltext  (lizenzpflichtig)
    URL: Volltext  (lizenzpflichtig)
    URL: Cover
    Bibliothek Standort Signatur Band/Heft/Jahr Verfügbarkeit
    BibTip Andere fanden auch interessant ...
  • 2
    Buch
    Buch
    Cham ; Heidelberg ; New York ; Dordrecht ; London :Springer,
    UID:
    almahu_BV042778764
    Umfang: lv, 625 Seiten : , Diagramme.
    ISBN: 978-3-319-20999-9 , 978-3-319-21000-1
    Serie: Springer tracts in modern physics volume 265
    Weitere Ausg.: Erscheint auch als Online-Ausgabe 10.1007/978-3-319-21000-1
    Sprache: Englisch
    Fachgebiete: Physik
    RVK:
    RVK:
    RVK:
    Schlagwort(e): Nanostruktur ; Halbleiter ; Dispersionsrelation ; Quantenwell ; Nanoelektronik ; Dispersionsrelation ; Halbleiterschicht
    Bibliothek Standort Signatur Band/Heft/Jahr Verfügbarkeit
    BibTip Andere fanden auch interessant ...
Meinten Sie 9783319100999?
Meinten Sie 9783319202969?
Meinten Sie 9783319099699?
Schließen ⊗
Diese Webseite nutzt Cookies und das Analyse-Tool Matomo. Weitere Informationen finden Sie auf den KOBV Seiten zum Datenschutz