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    Buch
    Buch
    Stuttgart [u.a.] : Teubner
    UID:
    b3kat_BV019604498
    Umfang: XIII, 326 S. , Ill., graph. Darst. , 21 cm
    Ausgabe: 4., durchges. und erg. Aufl.
    ISBN: 3519301490 , 9783519301493
    Serie: Lehrbuch
    Anmerkung: Liteaturverzeichnis Seite [315] - 317
    Sprache: Deutsch
    Fachgebiete: Technik , Physik
    RVK:
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    Schlagwort(e): Silicium ; Halbleitertechnologie ; Siliciumhalbleiter
    Bibliothek Standort Signatur Band/Heft/Jahr Verfügbarkeit
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  • 2
    Online-Ressource
    Online-Ressource
    Wiesbaden : Vieweg+Teubner Verlag
    UID:
    b3kat_BV042430885
    Umfang: 1 Online-Ressource (IX, 326S. 165 Abb)
    Ausgabe: 4., durchgesehene und ergänzte Auflage
    ISBN: 9783322940728 , 9783519301493
    Serie: Teubner Studienskripten Soziologie
    Anmerkung: Grundlage der mikroelektronischen Integrationstechnik ist die Silizium-Halbleitertechnologie. Sie setzt sich aus einer Vielzahl von sich wiederholenden Einzelprozessen zusammen, deren Durchführung und apparative Ausstattung extremen Anforderungen genügen müssen, um die geforderten Strukturgrößen bis zu wenigen 100 nm gleichmäßig und reproduzierbar zu erzeugen. Das Zusammenspiel der Oxidationen, Ätzschritte und Implantationen zur Herstellung von MOS- und Bipolarschaltungen werden - ausgehend vom Rohsilizium bis zur gekapselten integrierten Schaltung - aus Sicht des Anwenders erläutert. Das Buch behandelt neben den Grundlagen auch die technische Durchführung der Einzelprozesse zur Integrationstechnik. Zur weiteren Verdeutlichung des Stoffes wurden in der 4. Auflage Abbildungen und vor allem weitere Übungsaufgaben ergänzt. "Ulrich Hilleringmann ist mit seinem (...) Buch genau dies gelungen: die komplexe und umfangreiche Materie präzise und doch stets verständlich darzustellen." Elektronik, 11/2003
    Sprache: Deutsch
    Fachgebiete: Technik , Physik
    RVK:
    RVK:
    RVK:
    RVK:
    Schlagwort(e): Silicium ; Halbleitertechnologie ; Siliciumhalbleiter
    URL: Volltext  (lizenzpflichtig)
    Mehr zum Autor: Hilleringmann, Ulrich
    Bibliothek Standort Signatur Band/Heft/Jahr Verfügbarkeit
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  • 3
    Online-Ressource
    Online-Ressource
    Wiesbaden :Vieweg+Teubner Verlag :
    UID:
    almahu_9948191902802882
    Umfang: IX, 326 S. 279 Abb. , online resource.
    Ausgabe: 4th ed. 2004.
    ISBN: 9783322940728
    Serie: Teubner Studienbücher Technik
    Inhalt: Grundlage der mikroelektronischen Integrationstechnik ist die Silizium-Halbleitertechnologie. Sie setzt sich aus einer Vielzahl von sich wiederholenden Einzelprozessen zusammen, deren Durchführung und apparative Ausstattung extremen Anforderungen genügen müssen, um die geforderten Strukturgrößen bis zu wenigen 100 nm gleichmäßig und reproduzierbar zu erzeugen. Das Zusammenspiel der Oxidationen, Ätzschritte und Implantationen zur Herstellung von MOS- und Bipolarschaltungen werden - ausgehend vom Rohsilizium bis zur gekapselten integrierten Schaltung - aus Sicht des Anwenders erläutert. Das Buch behandelt neben den Grundlagen auch die technische Durchführung der Einzelprozesse zur Integrationstechnik. Zur weiteren Verdeutlichung des Stoffes wurden in der 4. Auflage Abbildungen und vor allem weitere Übungsaufgaben ergänzt. "Ulrich Hilleringmann ist mit seinem (...) Buch genau dies gelungen: die komplexe und umfangreiche Materie präzise und doch stets verständlich darzustellen." Elektronik, 11/2003.
    Anmerkung: 1 Einleitung -- 1.1 Aufgaben -- 2 Herstellung von Siliziumscheiben -- 2.1 Silizium als Basismaterial -- 2.2 Herstellung und Reinigung des Rohmaterials -- 2.3 Herstellung von Einkristallen -- 2.4 Kristallbearbeitung -- 2.5 Aufgaben zur Scheibenherstellung -- 3 Oxidation des dotierten Siliziums -- 3.1 Die thermische Oxidation von Silizium -- 3.2 Modellierung der Oxidation -- 3.3 Die Grenzfläche SiO2/Silizium -- 3.4 Segregation -- 3.5 Abscheideverfahren für Oxid -- 3.6 Aufgaben zur Oxidation des Siliziums -- 4 Lithografie -- 4.1 Maskentechnik -- 4.2 Belackung -- 4.3 Belichtungsverfahren -- 4.4 Lackbearbeitung -- 4.5 Aufgaben zur Lithografietechnik -- 5 Ätztechnik -- 5.1 Nasschemisches Ätzen -- 5.2 Trockenätzen -- 5.3 Endpunktdetektion -- 5.4 Aufgaben zur Ätztechnik -- 6 Dotiertechniken -- 6.1 Legierung -- 6.2 Diffusion -- 6.3 Ionenimplantation -- 6.4 Aufgaben zu den Dotiertechniken -- 7 Depositionsverfahren -- 7.1 Chemische Depositionsverfahren -- 7.2 Physikalische Depositionsverfahren -- 7.3 Aufgaben zu den Abscheidetechniken -- 8 Metallisierung und Kontakte -- 8.1 Der Metall-Halbleiter-Kontakt -- 8.2 Mehrlagenverdrahtung -- 8.3 Zuverlässigkeit der Aluminium-Metallisierung -- 8.4 Kupfermetallisierung -- 8.4 Aufgaben zur Kontaktierung -- 9 Scheibenreinigung -- 9.1 Verunreinigungen und ihre Auswirkungen -- 9.2 Reinigungstechniken -- 9.3 Ätzlösungen zur Scheibenreinigung -- 9.4 Beispiel einer Reinigungssequenz -- 9.5 Aufgaben zur Scheibenreinigung -- 10 MOS-Technologien zur Schaltungsintegration -- 10.1 Einkanal MOS-Techniken -- 10.2 Der n-Wannen Silizium-Gate CMOS-Prozess -- 10.3 Funktionstest und Parametererfassung -- 10.4 Aufgaben zur MOS-Technik -- 11 Erweiterungen zur Höchstintegration -- 11.1 Lokale Oxidation von Silizium (LOCOS-Technik) -- 11.2 MOS-Transistoren für die Höchstintegration -- 11.3 SOI-Techniken -- 11.4 Transistoren mit Nanometer-Abmessungen -- 11.5 Aufgaben zur Höchstintegrationstechnik -- 12 Bipolar-Technologie -- 12.1 Die Standard-Buried-Collector Technik -- 12.2 Fortgeschrittene SBC-Technik -- 12.3 Bipolarprozess mit selbstjustiertem Emitter -- 12.4 BiCMOS-Techniken -- 12.5 Aufgaben zur Bipolartechnologie -- 13 Montage integrierter Schaltungen -- 13.1 Vorbereitung der Scheiben zur Montage -- 13.2 Schaltungsmontage -- 13.3 Kontaktierverfahren -- 13.4 Endbearbeitung der Substrate -- 13.5 Aufgaben zur Chipmontage -- Anhang A: Lösungen der Aufgaben -- Anhang B: Farbtabelle Oxiddicken -- Anhang C: Chemische Verbindungen und Abkürzungen -- Stichwortverzeichnis.
    In: Springer eBooks
    Weitere Ausg.: Printed edition: ISBN 9783519301493
    Sprache: Deutsch
    Bibliothek Standort Signatur Band/Heft/Jahr Verfügbarkeit
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