Umfang:
1 Online-Ressource (34 S. 2 Abb., 1 Abb. in Farbe)
ISBN:
9783642885778
,
9783540046530
Serie:
Mitteilungen aus dem Max-Planck-Institut für Aeronomie 39
Anmerkung:
Die in den letzten Jahren entwickelten Kanal-Elektronen-Vervielfacher eignen sich grundsätzlich als Detektoren für den Nachweis relativ hoher Teilchenflußdichten energiearmer ionisierender Teilchen bei 4 Umgebungsdrücken 〈 10- Torr. Sie wurden daher gern in Raketen für die Messung von Teilchenflüssen oberhalb 100 km eingesetzt. Ihre Verwendung in Satelliten erfolgt zur Zeit allerdings noch zögernd, weil ihre Verstärkung im Hochvakuum in relativ kurzer Zeit stark abnimmt. Da bisher nur wenig über ihre Eigenschaften bekannt geworden ist, wurde im Zusammenhang mit einem beabsichtigten Einsatz der Kanal-Elektronen-Vervielfacher die Abhängigkeit ihrer Verstärkung, ihres Auflösungsvermögens und ihrer Ansprechwahrscheinlichkeit von verschiedenen Parametern untersucht. Die Entwicklung der Kanal-Elektronen-Vervielfacher, die vor wenigen Jahren begann, ist noch nicht abgeschlossen und läßt auf eine erfreuliche Erweiterung ihres Einsatzbereiches hoffen. 2. Aufbau und Wirkungsweise der Kanal-Elektronen-Vervielfacher Die herkömmlichen Elektronenvervielfacher sind so konstruiert, daß ein in den Vervielfacher einfallendes Elektron über eine Reihe von Dynoden einen stufenweisen Vervielfachungsprozeß durchläuft. Dabei liegt zwischen zwei Dynoden jeweils eine feste Spannung, die bei einer Anzahl von n-Dynoden etwa den n-ten Teil der Gesamtspannung ausmacht. Die Neuerung der Kanal-Elektronen-Vervielfacher besteht in einer Art Grenzübergang zu einer stetigen Dynodenverteilung. Damit erhält man einen Vervielfacher mit einer stetigen Spannungsverteilung über die gesamte Länge des Instruments. Die technische Ausführung sieht so aus, daß ein Glasröhrchen innen mit einem geeigneten hochohmigen Bezug versehen ist oder, daß das Glasröhrchen durch geeignete Dotierung selbst elektrisch leitend gemacht worden ist
Sprache:
Deutsch
Schlagwort(e):
Sekundärelektronenvervielfacher
DOI:
10.1007/978-3-642-88577-8
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