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    Berlin, Heidelberg :Springer Berlin Heidelberg :
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    UID:
    almahu_9948192446902882
    Umfang: 226 S. , online resource.
    Ausgabe: 1st ed. 1982.
    ISBN: 9783642455315
    Serie: Halbleiter-Elektronik, 8
    Anmerkung: 1 Einführung -- 1.1 Der Begriff „Halbleiterdiode“ (Gliederung) -- 1.2 Die Gruppe der injizierenden Dioden -- 1.3 Die Gruppe der nichtinjizierenden Dioden -- 2 Die PIN-Diode -- 2.1 Einleitung -- 2.2 Statische Kennlinie -- 2.3 Kleinsignalaussteuerung -- 2.4 Großsignalaussteuerung -- 2.5 Anwendungen der PIN-Diode -- 2.6 Technologischer Aufbau von PIN-Dioden -- Literatur zu Kapitel 2 -- 3 Der Speichervaraktor -- 3.1 Einleitung -- 3.2 Schaltverhalten -- 3.3 Dynamisches Aussteuerungsmodell des realen Speichervaraktors -- 3.4 Betriebskenngrößen des Vervielfachers mit realem Speichervaraktor -- 3.5 Funktionsmodell des Frequenzvervielfachers mit realem Speichervaraktor -- 3.6 Grenzleistung und Konversionsverlust in Vervielfachern -- 3.7 Grenzfrequenzen -- 3.8 Technologie der Varaktordiode -- Literatur zu Kapitel 3 -- 4 Der Sperrschichtvaraktor -- 4.1 Einleitung -- 4.2 Dotierungsprofil und Raumladungsweite -- 4.3 Kapazität als Funktion der Spannung -- 4.4 Kapazitätshub -- 4.5 Durchbruchspannung -- 4.6 Ersatzschaltbild und Güte -- 4.7 Temperaturverhalten -- 4.8 Anwendung von Kapazitätsdioden -- Literatur zu Kapitel 4 -- 5 Der MIS-Varaktor -- 5.1 Struktur und Zustände des MIS-Varaktors -- 5.2 Quasistatisches Verhalten -- 5.3 Dynamisches Verhalten -- 5.4 Dotierungsabhängigkeit -- 5.5 Temperaturabhängigkeit -- 5.6 Anwendung -- Literatur zu Kapitel 5 -- 6 Schottky-Diode -- 6.1 Einleitung -- 6.2 Metall-Halbleiter-Potentialbarrieren -- 6.3 Der stromdurehflossene Metall-Halbleiter-Kontakt -- 6.4 Ersatzschaltbild und Rauschen -- 6.5 Aufbau und Technologie der Schottky-Dioden -- 6.6 Anwendung von Schottky-Dioden -- Literatur zu Kapitel 6 -- 7 Zener- und Lawinen-Diode (Z-Diode) -- 7.1 Einführung -- 7.2 Gleichstromverhalten -- 7.3 Durchbruchsmechanismen -- 7.4 Stoßionisation (Lawinendiode) -- 7.5 Feldemission (Zener-Diode) -- 7.6 Die Z-Diode als hybrides Bauelement zwischen Lawinen-und Zener-Diode -- 7.7 Technologische Designkriterien -- 7.8 Anwendung von Z-Dioden -- Literatur zu Kapitel 7 -- 8 Anhang -- 8.1 Boltzmann-Gleichgewicht -- 8.2 Effektive Zustandsdichte -- 8.3 Boltzmann-Gleichgewicht und effektive Zustandsdichte beim Metall-Halbleiter-Übergang (thermionisches Emissionsmodell) -- 8.4 Schottky-Approximation -- 8.5 Allgemeiner Lösungsansatz für die Großsignalanalyse bei injizierenden Dioden -- 8.6 Lebensdauer.
    In: Springer eBooks
    Weitere Ausg.: Printed edition: ISBN 9783540111443
    Sprache: Deutsch
    Bibliothek Standort Signatur Band/Heft/Jahr Verfügbarkeit
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    Online-Ressource
    Online-Ressource
    Berlin, Heidelberg : Springer Berlin Heidelberg
    UID:
    b3kat_BV042431510
    Umfang: 1 Online-Ressource (226 S.)
    ISBN: 9783642455315 , 9783540111443
    Serie: Halbleiter-Elektronik 8
    Anmerkung: Der hiermit vorliegende Band 8 der Buchreihe "Halbleiter-Elektronik" mit dem Titel "Signalverarbeitende Dioden" soll der Verknüpfung zwischen physikalischer Wirkungsweise dieser Diodenart und ihrer elektrotechnischen Zielsetzung dienen. Aus der Übersicht über die Konzeption dieser Buchreihe auf der dritten Umschlagseite geht hervor, daß diesem Band fünf Grundlagenbände vorangegangen sind. Deshalb können sich die Autoren ohne Umschweife den speziellen Problemen der nachfolgend genannten Dioden widmen: PIN-Diode, Speichervaraktor, Sperrschichtvaraktor, MIS-Varaktor, Schottky-Diode, Zener-und Lawinendiode (Z-Dioden). Obwohl bei allgemeinen physikalischen Problemen auf die Grundlagenbände verwiesen wird, ist darauf geachtet worden, daß dieses Buch als Einzeldarstellung lesbar bleibt. Bei jeder aufgeführten Diodenart wird der spezielle Wirkungsmechanismus herausgestellt, so daß nicht nur eine Anwendung dargestellt, sondern ein physikalischer Effekt erläutert wird. In der Einführung sind entsprechende Hinweise enthalten. Dieser Band kann also, trotz der speziellen Diodenarten, die beschrieben werden, auch als Halbleiter-Lehrbuch gelten, da die Darstellung mit den Phänomenen der Transportphysik erlautert wird. Beim "Device-Modelling" kann man deshalb auf die geschilderten Zusammenhänge zurückgreifen. Insgesamt wird die Physik des pn-Überganges behandelt, seine vielfältigen Möglichkeiten werden im einzelnen geschildert. Dabei wird natürlich die schaltungstechnische Umgebung, soweit es für das Diodenverständnis erforderlich ist, mitberücksichtigt
    Sprache: Deutsch
    Schlagwort(e): Diode ; Signalverarbeitung ; Halbleiterdiode ; Signalverarbeitung
    Bibliothek Standort Signatur Band/Heft/Jahr Verfügbarkeit
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