Umfang:
Online-Ressource
ISSN:
1522-2454
Inhalt:
Atomic layer deposition ‐ a tool for nanotechnology The characteristic self‐limiting growth mechanism of atomic layer deposition (ALD) facilitates the control of film thickness at the atomic level and allows deposition on complex surfaces. These features make ALD to a very promising technique for future micro ‐ and nanotechnology. The precursor chemistry is a key issue in ALD.
Inhalt:
Abstract: Der charakteristische selbst begrenzende Wachstumsmechanismus der Atomlagenabscheidung (ALD) ermöglicht die Kontrolle der Schichtdicken im atomaren Bereich und erlaubt Beschichtungen komplexer Oberflächen. Diese Eigenschaft macht die ALD zu einer vielversprechenden Technik für die zukünftige Mikro ‐ und Nanotechnologie. Der Schlüssel für die ALD ist die Precursorchemie.
In:
volume:20
In:
number:1
In:
year:2008
In:
pages:7-10
In:
extent:4
In:
Vakuum in Forschung und Praxis, Weinheim : Wiley-VCH, 1989-, 20, Heft 1 (2008), 7-10 (gesamt 4), 1522-2454
Sprache:
Englisch
DOI:
10.1002/vipr.200800339
URN:
urn:nbn:de:101:1-2023072905435542105722
URL:
https://doi.org/10.1002/vipr.200800339
URL:
https://nbn-resolving.org/urn:nbn:de:101:1-2023072905435542105722
URL:
https://d-nb.info/1297609247/34
URL:
https://doi.org/10.1002/vipr.200800339
