UID:
almahu_9948192193202882
Format:
56 S. 25 Abb.
,
online resource.
Edition:
1st ed. 1981.
ISBN:
9783322876706
Series Statement:
Fachgruppe Elektrotechnik/Optik ; 3013
Note:
1. Einführung -- 2. Analytische und experimentelle Erfassung des analogen Großsignalbetriebs von Feldeffekttransistoren ohne Berücksichtigung dynamischer Effekte -- 3. Entwurf des Modells -- 3.1 Kennlinienmodell im Sättigungsgebiet für konstante Drain-Source-Spannung -- 3.2 Kennlinienmodell im Sättigungsgebiet für variable Drain-Source-Spannung -- 3.3 Differentielle Größen -- 3.4 Besonderheiten des Modells -- 3.5 Grenzen des Modells -- 4. Bestimmung der Parameter des Modells aus den gemessenen Kennlinien des Feldeffekttransistors -- 4.1 Bezugsspannung UDS0 -- 4.2 Parameter Iq und ß -- 4.3 Parameter Uth -- 4.4 Parameter C -- 4.5 Parameter RS -- 4.6 Verhältnis UE/n -- 4.7 Parameter m und p -- 4.8 Parameter n, t und UE -- 4.9 Parameter von PNFET und MOSFET -- 5. Überprüfung des Modells -- 5.1 PNFET -- 5.2 MOSFET -- 6. Berechnung der Harmonischen des Drainstromes -- 7. Ermittlung der Harmonischen des Drainstromes der Sourceschaltung -- 7.1 Typische Kennlinien der Harmonischen des Drainstromes als Funktion der Gate-Source-Spannung -- 7.2 Harmonische des Drainstromes des PNFET in Sourceschaltung -- 7. 3 Harmonische des Drainstromes des MOSFET in Sourceschaltung -- 8. Zusammenfassung -- 9. Literatur.
In:
Springer eBooks
Additional Edition:
Printed edition: ISBN 9783531030135
Language:
German
DOI:
10.1007/978-3-322-87670-6
URL:
https://doi.org/10.1007/978-3-322-87670-6
