Format:
X, 155 S. : Ill., graph. Darst.
Note:
Regensburg, Univ., Diss., 1996
Language:
German
Subjects:
Engineering
Keywords:
Bipolartransistor
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Silicium
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Hochfrequenz
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Dotierung
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Bipolartransistor
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Hochfrequenztransistor
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Siliciumbauelement
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Dotierungsprofil
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Hochschulschrift