Umfang:
IX, 148 S.
,
Ill., graph. Darst.
Ausgabe:
Als Ms. gedr.
ISBN:
3183310090
Serie:
Verein Deutscher Ingenieure: [Fortschritt-Berichte VDI / 9] 310
Anmerkung:
Zugl.: Hannover, Univ., Diss., 1999
Sprache:
Deutsch
Fachgebiete:
Physik
Schlagwort(e):
Silicium
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Halbleiteroberfläche
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Rauigkeitsmessung
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Lichtstreuung
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Rasterkraftmikroskopie
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Hochschulschrift
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Hochschulschrift