UID:
kobvindex_ZBW00034992
Umfang:
XVIII, 214 Seiten
,
graph. Darst.
ISBN:
318329009X
Serie:
[Fortschritt-Berichte VDI / 09] Fortschritt-Berichte VDI. Reihe 09, Elektronik 290
Inhalt:
Die Dissertation stellt ein neues, nichtquasistatisches (NQS) MOS-Transistormodell für CAD-Anwendungen zur Beschreibung dynamischer Vorgänge in Schaltungen vor. Die zeitliche Entwicklung des Ortsverlaufs der Kanalladung wird durch eine quasilineare partielle Differentialgleichung beschrieben, die mittels finiter Differenzen gelöst wird. Das Ergebnis gestattet Einblicke in Ladungsspeichereffekte im Kanal, wie sie sonst nur von aufwendigen Device-Simulatoren ermöglicht werden. Das Modell bietet eine kontinuierliche Beschreibung durch alle Bereiche von Inversion bis Akkumulation. Erfaßt sind Beweglichkeitseffekte, Stoßionisation, Kanallängenmodulation sowie erstmalig auch die Rekombination. Vergleiche mit Messungen und Device-Simulation (MEDICI) zeigen seine hervorragende Genauigkeit. Einsatz finden kann das NQS-Modell vor allem in Schaltungen mit steilen Flanken, bei solchen, die um Unterschwellstrombereich betrieben werden, die lange Transistoren enthalten oder wenn genaue Kenntnisse über den Ladungszufluß und Ladungsabfluß wichtig sind (zB Switched-Capacitor-Filter, Bootstrap-Schaltungen und Charge-Pump-Schaltungen).(AUT)
Sprache:
Deutsch
Schlagwort(e):
Hochschulschrift
