Format:
Online-Ressource
ISSN:
1862-6319
Content:
Abstract: A double iteration technique is applied to obtain the field and current density profiles of an ionimplanted double avalanche region (DAR) Impatt diode suitable for operation around 94 GHz under steady state condition. Computations are carried out for Si, InP‐ and GaAs DAR Impatt. It is found that using ion, implanted structures it will be possible to improve the efficiency of the DAR Impatt considerably at millimeter wave frequencies.
Content:
Eine Doppeliterationstechnik wird benutzt, um die Feld‐ und Stromdichteprofile einer ionenimplantierten Doppel‐Lawinenbereichs (DAR)‐Impatt‐Diode für Arbeitsfrequenzen um 94 GHz unter stationaren Bedingungen zu erhalten. Berechnungen werden für Si‐, InP‐ und GaAs‐ DAR‐Impatt‐Dioden durchgeführt. Es wird gefunden, daß es bei Benutzung von implantierten Strukturen möglich ist, den Wirkungsgrad der DAR‐Impatt bei Millimeterwellenfrequenzen beträchtlich zu verbessern.
In:
volume:94
In:
number:1
In:
year:2006
In:
pages:305-313
In:
extent:9
In:
Physica status solidi / A. A, Applications and materials science, Weinheim : Wiley-VCH, 2005-, 94, Heft 1 (2006), 305-313 (gesamt 9), 1862-6319
Language:
English
DOI:
10.1002/pssa.2210940137
URN:
urn:nbn:de:101:1-2024021205251778257922
URL:
https://doi.org/10.1002/pssa.2210940137
URL:
https://nbn-resolving.org/urn:nbn:de:101:1-2024021205251778257922
URL:
https://d-nb.info/131897576X/34
URL:
https://doi.org/10.1002/pssa.2210940137
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