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  • 1
    Buch
    Buch
    Moskva : Prosvescenie
    UID:
    (DE-627)1511536268
    Umfang: 190 S.
    Anmerkung: In kyrill. Schr
    Sprache: Russisch
    Bibliothek Standort Signatur Band/Heft/Jahr Verfügbarkeit
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  • 2
    Buch
    Buch
    Moskva : Prosvescenie
    UID:
    (DE-602)gbv_1511536268
    Umfang: 190 S.
    Anmerkung: In kyrill. Schr
    Sprache: Russisch
    Bibliothek Standort Signatur Band/Heft/Jahr Verfügbarkeit
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  • 3
    Online-Ressource
    Online-Ressource
    Cham : Springer International Publishing | Cham : Springer
    UID:
    (DE-602)b3kat_BV046084301
    Umfang: 1 Online-Ressource (XI, 158 p. 92 illus., 78 illus. in color)
    ISBN: 9783030120535
    Weitere Ausg.: Erscheint auch als Druck-Ausgabe ISBN 978-3-030-12052-8
    Weitere Ausg.: Erscheint auch als Druck-Ausgabe ISBN 978-3-030-12054-2
    Weitere Ausg.: Erscheint auch als Druck-Ausgabe ISBN 978-3-030-12055-9
    Sprache: Englisch
    URL: Volltext  (URL des Erstveröffentlichers)
    Bibliothek Standort Signatur Band/Heft/Jahr Verfügbarkeit
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  • 4
    Online-Ressource
    Online-Ressource
    Cham : Springer
    UID:
    (DE-605)HT021053843
    Umfang: 1 Online-Ressource
    ISBN: 9783030120535
    Inhalt: Introduction -- Energy bands in topological insulators -- Magnetic doping and ferromagnetic proximity effects -- Electrodynamics of topological phase -- Thin TI films -- Rashba interaction in topological insulators -- Spin-electron coupling in topological phase -- Dirac fermions mediated indirect exchange interaction
    Inhalt: This book serves as a brief introduction to topological insulator physics and device applications. Particular attention is paid to the indirect exchange interaction mediated by near surface Dirac fermions and the spin texture this interaction favors. Along with useful information on semiconductor material systems, the book provides a theoretical background for most common concepts of TI physics. Readers will benefit from up to date information and methods needed to start working in TI physics, theory, experiment and device applications. Discusses inter-spin interaction via massless and massive Dirac excitations;Includes coverage of near-surface spin texture of the magnetic atoms as related to their mutual positions as well to their positions with respect to top and bottom surfaces in thin TI film;Describes non-RKKY oscillating inter-spin interaction as a signature of the topological state;Explains the origin of the giant Rashba interaction at quantum phase transition in TI-conventional semiconductors
    Weitere Ausg.: Erscheint auch als Druck-Ausgabe 9783030120528
    Sprache: Englisch
    Bibliothek Standort Signatur Band/Heft/Jahr Verfügbarkeit
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  • 5
    Online-Ressource
    Online-Ressource
    Singapore : Jenny Stanford Publishing | London : Taylor & Francis Group
    UID:
    (DE-603)51641464X
    Umfang: 1 Online-Ressource , illustrations
    Ausgabe: Second edition
    ISBN: 9781003480228 , 1003480225 , 9781040029206 , 1040029205 , 9781040029213 , 1040029213
    Inhalt: This second edition of the book presents spintronic properties of III-V nitride semiconductors. As wide bandgap III-nitride nanostructures are relatively new materials, the book pays particular attention to the difference between zinc-blende GaAs- and wurtzite GaN-based structures where the Rashba spin-orbit interaction plays a crucial role in voltage-controlled spin engineering. It also deals with topological insulators and discusses electrically driven zero-magnetic-field spin-splitting of surface electrons with respect to the specifics of electron-localized spin interaction and voltage-controlled ferromagnetism. It describes the recently identified zero-gap state--an anomalous quantum semimetal. The book comprises calculation of topological indexes in semiconductor and semimetal phases. It compares results that follow from the low-energy model and the Bernevig-Huges-Zhang model, which accounts for the full-Brillouin-zone electron spectrum. It also discusses the fractional quantization of Hall conductance and performs the direct calculation of Chern numbers for the inverted GaN/InN quantum well, determining topological properties by Chern number |C |=2. The book explores and actively discusses semiconductor spintronics and proposes various device implementations along the way. Although writings on this topic appear in the current literature, this book is focused on the materials science side of the question, providing a theoretical background for the most common concepts of spin-electron physics. It covers generic topics in spintronics without entering into device specifics since its aim is to give instructions to be used in solving problems of a general and specific nature. It is intended for graduate students and will serve as an introductory course in this specific field of solid state theory and applications.
    Anmerkung: "Jenny Stanford Publishing"
    Weitere Ausg.: 9789815129205
    Sprache: Englisch
    Bibliothek Standort Signatur Band/Heft/Jahr Verfügbarkeit
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  • 6
    Online-Ressource
    Online-Ressource
    Cham : Springer
    UID:
    (DE-627)1666724467
    Umfang: 1 Online-Ressource (XI, 158 p. 92 illus., 78 illus. in color)
    ISBN: 9783030120535
    Serie: Springer eBooks
    Inhalt: Introduction -- Energy bands in topological insulators -- Magnetic doping and ferromagnetic proximity effects -- Electrodynamics of topological phase -- Thin TI films -- Rashba interaction in topological insulators -- Spin-electron coupling in topological phase -- Dirac fermions mediated indirect exchange interaction
    Inhalt: This book serves as a brief introduction to topological insulator physics and device applications. Particular attention is paid to the indirect exchange interaction mediated by near surface Dirac fermions and the spin texture this interaction favors. Along with useful information on semiconductor material systems, the book provides a theoretical background for most common concepts of TI physics. Readers will benefit from up to date information and methods needed to start working in TI physics, theory, experiment and device applications. Discusses inter-spin interaction via massless and massive Dirac excitations; Includes coverage of near-surface spin texture of the magnetic atoms as related to their mutual positions as well to their positions with respect to top and bottom surfaces in thin TI film; Describes non-RKKY oscillating inter-spin interaction as a signature of the topological state; Explains the origin of the giant Rashba interaction at quantum phase transition in TI-conventional semiconductors
    Weitere Ausg.: 9783030120528
    Weitere Ausg.: Erscheint auch als Druck-Ausgabe 978-3-030-12052-8
    Sprache: Englisch
    Bibliothek Standort Signatur Band/Heft/Jahr Verfügbarkeit
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  • 7
    Buch
    Buch
    Singapore : Pan Stanford Publishing
    UID:
    (DE-602)b3kat_BV043591676
    Umfang: xii, 184 Seiten , Diagramme
    ISBN: 9789814669702
    Weitere Ausg.: Erscheint auch als Online-Ausgabe ISBN 978-981-4669-71-9
    Sprache: Englisch
    Schlagwort(e): Spintronik ; Wide-bandgap Halbleiter
    Bibliothek Standort Signatur Band/Heft/Jahr Verfügbarkeit
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  • 8
    Online-Ressource
    Online-Ressource
    Cham : Springer International Publishing | Cham : Springer
    UID:
    (DE-604)BV046084301
    Umfang: 1 Online-Ressource (XI, 158 p. 92 illus., 78 illus. in color)
    ISBN: 9783030120535
    Weitere Ausg.: Erscheint auch als Druck-Ausgabe ISBN 978-3-030-12052-8
    Weitere Ausg.: Erscheint auch als Druck-Ausgabe ISBN 978-3-030-12054-2
    Weitere Ausg.: Erscheint auch als Druck-Ausgabe ISBN 978-3-030-12055-9
    Sprache: Englisch
    URL: Volltext  (URL des Erstveröffentlichers)
    Bibliothek Standort Signatur Band/Heft/Jahr Verfügbarkeit
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  • 9
    Online-Ressource
    Online-Ressource
    Cham : Springer International Publishing | Cham : Springer International Publishing AG
    UID:
    (DE-603)449170624
    Umfang: 1 Online-Ressource (XI, 158 Seiten) , 92 illus., 78 illus. in color.
    Ausgabe: 1st ed. 2020
    ISBN: 9783030120535 , 3030120538
    Weitere Ausg.: Erscheint auch als Druck-Ausgabe Litvinov, Vladimir Magnetism in Topological Insulators Cham : Springer International Publishing, 2020 9783030120528
    Weitere Ausg.: 9783030120528
    Weitere Ausg.: 9783030120542
    Weitere Ausg.: 9783030120559
    Sprache: Englisch
    Bibliothek Standort Signatur Band/Heft/Jahr Verfügbarkeit
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  • 10
    Online-Ressource
    Online-Ressource
    Boca Raton, Florida : Pan Stanford Publishing
    UID:
    (DE-627)1656251787
    Umfang: 1 online resource (192 pages)
    ISBN: 9789814669719
    Inhalt: Front Cover -- Dedication -- Contents -- Preface -- Chapter 1: GaN Band Structure -- Chapter 2: Rashba Hamiltonian -- Chapter 3: Rashba Spin Splitting in III-Nitride Heterostructures and Quantum Wells -- Chapter 4: Tunnel Spin Filter in Rashba Quantum Structure -- Chapter 5: Exchange Interaction in Semiconductors and Metals -- Chapter 6: Ferromagnetism in III-V Semiconductors -- Chapter 7: Topological Insulators -- Chapter 8: Magnetic Exchange Interaction in Topological Insulator -- Back Cover.
    Weitere Ausg.: 9789814669702
    Weitere Ausg.: Litvinov, Vladimir Wide bandgap semiconductor spintronics Singapore : Pan Stanford Publishing, 2016 9789814669702
    Sprache: Englisch
    Schlagwort(e): Drei-Fünf-Halbleiter ; Wide-bandgap Halbleiter ; Rashba-Effekt ; Topologischer Isolator ; Spintronik
    URL: Volltext  (lizenzpflichtig)
    Bibliothek Standort Signatur Band/Heft/Jahr Verfügbarkeit
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