Format:
Online-Ressource
ISSN:
1862-6319
Content:
Abstract: Deep majority carrier traps are studied by means of deep level transient spectroscopy in n‐InSe single crystals grown by the Bridgman‐Stockbarger method. Three trapping levels are found at 0.32, 0.50, and 0.78 eV below the conduction band. The concentration profiles of these traps are also reported.
Content:
Tiefe Majoritätsträgerhaftstellen werden mittels DLTS in n‐InSe‐Einkristallen untersucht, die nach der Bridgman‐Stockbargermethode hergestellt wurden. Drei Haftstellenniveaus werden bei 0,32, 0,50 und 0,78 eV unterhalb des Leitungsbandes gefunden. Die Konzentrationsprofile dieser Haftstellen werden mitgeteilt.
In:
volume:114
In:
number:1
In:
year:2006
In:
pages:253-257
In:
extent:5
In:
Physica status solidi / A. A, Applications and materials science, Weinheim : Wiley-VCH, 2005-, 114, Heft 1 (2006), 253-257 (gesamt 5), 1862-6319
Language:
English
DOI:
10.1002/pssa.2211140124
URN:
urn:nbn:de:101:1-2024021406271926233405
URL:
https://doi.org/10.1002/pssa.2211140124
URL:
https://nbn-resolving.org/urn:nbn:de:101:1-2024021406271926233405
URL:
https://d-nb.info/1319256600/34
URL:
https://doi.org/10.1002/pssa.2211140124
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