Format:
Online-Ressource
ISSN:
1862-6319
Content:
Abstract: The impurity levels in As‐doped InSe single crystals are investigated by Hall effect and deep level transient spectroscopy measurements. A deep acceptor level associated with dopant atoms is detected at about 0.57 eV above the valence band. The capture cross‐section shows an actived temperature dependence in the explored temperature range between 330 and 430 K with an activation energy of about 0.13 eV. The concentration profile of this level is also reported.
Content:
Die Fremdatom‐Niveaus in As‐dotierten InSe‐Einkristallen werden mittels Hall‐Effekt‐ und DLTS‐Messungen untersucht. Ein mit der Dotierung verbundenes tiefes Akzeptorniveau wird bei etwa 0,57 eV oberhalb des Valenzbandes gefunden. Im Temperaturbereich von 330 bis 430 K zeigt der Einfangquerschnitt eine Temperaturabhängigkeit mit einer Aktivierungsenergiech von etwa 0,13 eV. Das Konzentrationsprofil dieses Niveaus wird ebenfalls mitgeteilt.
In:
volume:133
In:
number:2
In:
year:2006
In:
pages:421-428
In:
extent:8
In:
Physica status solidi / A. A, Applications and materials science, Weinheim : Wiley-VCH, 2005-, 133, Heft 2 (2006), 421-428 (gesamt 8), 1862-6319
Language:
English
DOI:
10.1002/pssa.2211330225
URN:
urn:nbn:de:101:1-2024010705061539724248
URL:
https://doi.org/10.1002/pssa.2211330225
URL:
https://nbn-resolving.org/urn:nbn:de:101:1-2024010705061539724248
URL:
https://d-nb.info/1315246708/34
URL:
https://doi.org/10.1002/pssa.2211330225
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